Det kan kanskje se ut til at hardware og minneprodusentene allerede har faset ut NAND FLASH teknologien til fordel for ny og mer avansert teknolog. Ingen har snakket om dette offentlig, og forklaringen ligger i at markedet nå får levert produkter med NAND FLASH utviklet for 3 år siden.

Den nye trenden går mot EPCM (Phase Change Memory), en teknologi som vi allerede kan se i nesten alle nye smarttelefoner som kommer på markedet.

EPCM chippene har ihvertfall to fordeler. Tettere lagring av data og raskere aksess som sammen med design reduserer størrelsen. Mens det siste FLASD designet målte 19 nanometer, de avanserte Samsung 3D NAND FLASH chippene 10-12, måler en PCM chip 4 nanometer.

NAND FLASH har størrelsesbegrensninger på grunn av at de er avhengig av et antall kretskort for å kontrollere og skape energien som skaper selve datalagringen ved at elektronene flytter seg mot «the floating gate layer». Les gjerne mer om FLASH teknologien.

Det samme gjelder for aksesstid. FLASH NAND måler som best mellom 1 millisekund og 1 mikrosekund. EPCM chippene rundt 900 nanosekund og de beste 500 nanosekund.

Men det snakkes også om at produsentene har begynt masseproduksjon av “nyere” FLASH mine.

Samsung har startet opp storskala produksjon av deres 64 layer V-NAND FLASH, utviklet for mobil og konsumentmarkedet. Hastigheten på deres 3-bit, 265 gigabyte V-NAND er 1 Gbps med en aksesstid på 500 mikrosekunder.

Western Digital snakker varmt om deres 96 Layer 3D NAND Flash som er klar tidlig neste år. De første vil kunne lagre 256 GB, men det er ventet at dette skal økes til 1 TB. Denne teknologien er et resultat av et lengre samarbeidet med Toshiba, men foreløpig er det ikke levert en eneste BiCS (Bit Cost Scaling) NAND FLASH chip på markedet. Det er tilsynelatende mer jobb som skal til for å få lansert disse avanserte FLASH teknologiene som stand-alone eller innebygde produkter på markedet. Noe som forklarer at “ikke-FLASH-teknologier” fyller gapet mellom en rask RAM chip og tradisjonelle harddisker.

EPCM-trenden er ikke utelukkende for smarttelefoner. Produsenter jobber også med å inkludere teknologien til SSD. Intel kaller denne teknologien “Optane” og den første som kommer til å ta dette i bruk er sannsynlig IBM.

Men det er ikke bare EPCM som vil ta over for NAND FLASH fremover.  ReRAM, FRAM eller NVDIMM, som var tilgjengelig allerede i 2014, prøver alle å kombinere hastighet og aksesstid på et volatile storage (D)RAM chip med evnen til å lagre data selv om energien i en FLASH chip er kuttet.

En av NVDIMM konseptene er NVDIMM-F. DRAM vil stå for all computing, mens FLASH –delen vil lagre data hvis strømmen forsvinner.

NVDIMM-P vil erstatte NAND FLASH med ReRAM teknologi som backup enhet sammen med DRAM. Dermed kan en NVDIMM-P chip forbedre en SSDs levetid og pålitelighet, men vel så interessant er mulighetene for å lagre data i pc-en sitt hovedminne.

Hvordan vil teknologien på virke mulighetene til å rekonstruere data fremover?

Uavhengig av teknologien som er eller blir utviklet, feil med lagringsmedier må fikses og repareres før man kan rekonstruere data.

Men ny teknologi krever at vi må lære, utvikle og implementere ny metoder, teknikker og read-out softwareverktøy for å kunne få et 1:1 image av alle data som er lagret, på disken, på FLASH eller på et Non-volatile medie.

Vårt utviklingsteam overvåker kontinuerlig datalagringsteknologier som er i markedet og som er under utvikling. Vår eksistens krever at vi holder minst følge med denne teknologien slik at riktige og effektive verktøy kan bidra til at data raskt kan gjenskapes.

Picture copyright: pixabay.com/ CC0 License